(812) 309-78-59
(495) 223-46-76
ASTM E1855-96
Standard Test Method for Use of 2N2222A Silicon Bipolar Transistors as Neutron Spectrum Sensors and Displacement Damage Monitors
11 стр.
Заменен
Печатное изданиеЭлектронный (pdf)
104.52 $ (включая НДС 20%)
Разработчик:
Зарубежные/ASTM
ICS:
31.200 Integrated. Including electronic chips, logical and analogue microstructures / Интегральные схемы. Микроэлектроника. Включая электронные микросхемы, логические и аналоговые микроструктуры
Сборник (ASTM):
12.02 Nuclear (II), Solar, and Geothermal Energy; Radiation Processing / Ядерная энергия (II), Солнечная, и Геотермическая Энергия; Радиационная обработка
Тематика:
Nuclear Technology
Описание
Область применения

1.1 This test method covers how 2N2222A silicon bipolar transistors can be used either as dosimetry sensors in the determination of neutron energy spectra, or as silicon 1-MeV equivalent displacement damage fluence monitors.

Ключевые слова:
Displacement damage; Neutron damage; Radiation hardness; Silicon transistors; Spectrum sensors