(812) 309-78-59
(495) 223-46-76
DIN EN 62418:2010-12
Semiconductor devices - Metallization stress void test (IEC 62418:2010); German version EN 62418:2010
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration (IEC 62418:2010); Deutsche Fassung EN 62418:2010
19 стр.
Действует
Печатное изданиеПечатная копияЭлектронный (pdf)
167.57 € (включая НДС 20%)
Разработчик:
Зарубежные/DIN
ICS:
31.080.01 Semiconductor devices in general / Полупроводниковые приборы в целом, 25.220.40 Metallic. Including electrolytic depositions, cathodic coatings, autocatalytic coatings, etc. / Металлические покрытия. Включая электролитическое осаждение, катодные покрытия и т.д.