(812) 309-78-59
(495) 223-46-76
ÖVE/ÖNORM EN 62418:2011-01
Semiconductor devices - Metallization stress void test (IEC 62418:2010) (english version)
Действует
Печатная копияПечатное издание
189.19 € (включая НДС 20%)
Разработчик:
Зарубежные/ON
ICS:
31.080.01 Semiconductor devices in general / Полупроводниковые приборы в целом
Ключевые слова:
Halbleiterbauelement, Halbleiter, Prüfverfahren, Bauelement, Metallisierung, Stressmigration, Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik, Telekommunikation, Aluminium, Kupfer, Teststruktur, Beanspruchungstemperatur, Prüfung, Bewertungsverfahren, Sichtprüfverfahren, Ausfallkriterium, Prüfdaten, Schätzung, Lebensdauer, Klasse, Widerstandsverfahren, Anhang, Leiter, Raumtemperatur, dielektrische Schicht, Abbildung, Faktor, Aluminiummetallisierung, Kupfermetallisierung, Vorsichtsmaßnahme, Literaturhinweis