Ключевые слова:
Halbleiterbauelement, Halbleiter, Prüfverfahren, Bauelement, Metallisierung, Stressmigration, Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik, Telekommunikation, Aluminium, Kupfer, Teststruktur, Beanspruchungstemperatur, Prüfung, Bewertungsverfahren, Sichtprüfverfahren, Ausfallkriterium, Prüfdaten, Schätzung, Lebensdauer, Klasse, Widerstandsverfahren, Anhang, Leiter, Raumtemperatur, dielektrische Schicht, Abbildung, Faktor, Aluminiummetallisierung, Kupfermetallisierung, Vorsichtsmaßnahme, Literaturhinweis