Method for Measurement of Oxide Thickness on Silicon Wafers and Metallization Thickness by Multiple-Beam Interference (Tolansky Method) (Withdrawn 1993)
6 стр.
Отменен
Печатное изданиеЭлектронный (pdf)
96.72 $ (включая НДС 20%)
Разработчик:
Зарубежные/ASTM
ICS:
29.045 Semiconducting materials / Полупроводниковые материалы