(812) 309-78-59
(495) 223-46-76
DIN 50439:1982-10
Testing of materials for semiconductor technology; determination of the dopant concentration profile of single crystalline semiconductor material by means of the capacitancevoltage method and mercury contact
Материалы полупроводниковые на основе кремния или арсения-галия. Определение профиля концентраций примесей методом напряжения на емкости и ртутного контакта
Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie; Bestimmung des Dotierungsprofiles von einkristallinem Halbleitermaterial mit der Kapazitäts-Spannungs-Methode und Quecksilberkontakt
6 стр.
Отменен
Печатное изданиеПечатная копияЭлектронный (pdf)
71.26 € (включая НДС 20%)
Разработчик:
Зарубежные/DIN
ICS:
29.045 Semiconducting materials / Полупроводниковые материалы