(812) 309-78-59
(495) 223-46-76
IEC 62373:2006 ed1.0
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
27 стр.
Действует
Электронный (pdf)Печатная копия
114.66 CHF (включая НДС 20%)
Разработчик:
Зарубежные/IEC
ICS:
31.080.30 Transistors / Транзисторы
Описание
Provides a test procedure for a bias-temperature (BT) stability test of metal-oxide semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)