IEC 60747-8:2000 ed2.0

Заменен

S emiconductor devices - Part 8: Field-effect transistors — 135 стр.

Ссылочные документы

Действует

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors — 155 стр.

Заменен

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors — 17 стр.

Заменен

Amendment 2 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors — 23 стр.

Заменен

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors — 91 стр.

Действует

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors — 155 стр.

Действует

Discrete semiconductor devices. Metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications — 64 стр.

Заменен

Semiconductor devices. Discrete devices. Microwave diodes and transistors — 140 стр.

Действует

Semiconductor devices. Discrete devices. Microwave diodes and transistors — 132 стр.

Заменен

Amendment 2 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors — 23 стр.

Заменен

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors — 17 стр.

Заменен

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors — 91 стр.