Стандарты IEC

IEC 60747-9:1998/AMD1:2001 ed1.0

Заменен

Amendment 1 - Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 79 стр.

Описание Изменения Ссылки Версии

Ссылочные документы

IEC 60747-9:2007 ed2.0

Заменен

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 117 стр.

На этот документ ссылаются

DIN EN 62747:2015-03

Отменен

Terminology for voltage-sourced converters (VSC) for high-voltage direct current (HVDC) systems (IEC 62747:2014); German version EN 62747:2014 — 32 стр.

IEC 60747-9:2007 ed2.0

Заменен

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 117 стр.