Каталог стандартов

+7 (495) 223-46-76 +7 (812) 309-78-59
inform@normdocs.ru
О компании Стандарты Контакты Заказать стандарт
СтандартыIEC

IEC 60747-9:1998 ed1.0

Заменен
Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 51 стр.
ОписаниеИзмененияСсылкиВерсии

Ссылочные документы

IEC 60747-9:2007 ed2.0
Заменен
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 117 стр.

На этот документ ссылаются

BS EN 62751-2:2014
Действует
Power losses in voltage sourced converter (VSC) valves for high-voltage direct current (HVDC) systems. Modular multilevel converters — 58 стр.
BS EN 62747:2014
Действует
Terminology for voltage-sourced converters (VSC) for high-voltage direct current (HVDC) systems — 32 стр.
BS EN 60747-15:2012
Действует
Semiconductor devices. Discrete devices. Isolated power semiconductor devices — 28 стр.
PD IEC/TR 62543:2011+A2:2017
Действует
High-voltage direct current (HVDC) power transmission using voltage sourced converters (VSC) — 68 стр.
IEC 60747-9:2007 ed2.0
Заменен
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 117 стр.