Каталог стандартов

+7 (495) 223-46-76 +7 (812) 309-78-59
inform@normdocs.ru
О компании Стандарты Контакты Заказать стандарт
СтандартыIEC

IEC 60747-9:2007 ed2.0

Заменен
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 117 стр.
ОписаниеИзмененияСсылкиВерсии

Ссылочные документы

IEC 60747-9:2019 ed3.0
Действует
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 160 стр.
IEC 60747-5-6:2016 ed1.0
Заменен
Semiconductor devices - Part 5-6: Optoelectronic devices - Light emitting diodes — 168 стр.
IEC 60747-9:1998/AMD1:2001 ed1.0
Заменен
Amendment 1 - Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 79 стр.
IEC 60747-9:1998 ed1.0
Заменен
Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 51 стр.

На этот документ ссылаются

DIN EN 61175-1:2016-05
Действует
Industrial systems, installations and equipment and industrial products - Designation of signals - Part 1: Basic rules (IEC 61175-1:2015); German version EN 61175-1:2015 — 53 стр.
DIN EN 61360-1:2018-07
Действует
Standard data element types with associated classification scheme - Part 1: Definitions - Principles and methods (IEC 61360-1:2017); German version EN 61360-1:2017 — 181 стр.
IEC 60747-9:2019 ed3.0
Действует
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 160 стр.
ÖVE/ÖNORM EN 62751-1:2015-10
Заменен
Power losses in voltage sourced converter (VSC) valves for high-voltage direct current (HVDC) systems -- Part 1: General requirements (IEC 62751-1:2014) (english version)
ÖVE/ÖNORM EN 60747-15:2012-10
Действует
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 15: Isolated power semiconductor devices (IEC 60747-15:2010) (english version)
IEC 60747-9:1998/AMD1:2001 ed1.0
Заменен
Amendment 1 - Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 79 стр.
IEC 60747-9:1998 ed1.0
Заменен
Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 51 стр.
IEC 60747-9:1998+AMD1:2001 CSV ed1.1
Заменен
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) — 131 стр.