IEC 62047-9:2011/COR1:2012 ed1.0

Действует

Corrigendum 1 - Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS — 0 стр.

Описание Изменения Ссылки Версии

Ссылочные документы

IEC 62047-9:2011 ed1.0

Действует

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS — 49 стр.

На этот документ ссылаются

IEC 62047-9:2011 ed1.0

Действует

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS — 49 стр.

17/30352696 DC

Действует

BS IEC 62047-31. Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices. Part 31. Four-point bending test method for interfacial adhesion energy of layered MEMS materials — 14 стр.

BS EN 62047-15:2015

Действует

Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices. Test method of bonding strength between PDMS and glass — 16 стр.