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ÖNORM EN 15991:2011-04

Заменен
Testing of ceramic and basic materials - Direct determination of mass fractions of impurities in powders and granules of silicon carbide by inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP OES) with electrothermal vaporisation (ETV)
Diese Norm beinhaltet ein Verfahren zur Bestimmung der Gehalte der Spurenelemente Al, Ca, Cr, Cu, Fe,
Mg, Ni, Ti, V und Zr in pulver- und kornförmigem Siliciumcarbid.
Das festgelegte Prüfverfahren gilt in Abhängigkeit von Element, Wellenlänge, Plasmabedingungen und
Einwaage für Massenanteile der o. g. angeführten Spurenverunreinigungen von etwa 0,1 mg/kg bis etwa
1 000 mg/kg, nach Prüfung auch von 0,001 mg/kg bis etwa 5 000 mg/kg.
ICS
81.060.10 Raw materials / Сырье