Стандарты BSI

BS EN 62047-9:2011

Действует

Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices. Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS — 32 стр.

Описание Изменения Ссылки Версии

Ссылочные документы

IEC 60749-19:2003 ed1.0

Действует

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength — 11 стр.

ISO 6892-1:2009

Заменен

Metallic materials -- Tensile testing -- Part 1: Method of test at room temperature — 72 стр.

BS EN 60749-19:2003

Действует

Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods. Die shear strength — 10 стр.

BS EN ISO 6892-1:2009

Действует

Metallic materials. Tensile testing. Method of test at ambient temperature — 76 стр.

BS IEC 62047-29:2017

Действует

Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices. Electromechanical relaxation test method for freestanding conductive thin-films under room temperature — 14 стр.

ASTM E8M-04

Заменен

Standard Test Methods for Tension Testing of Metallic Materials [Metric] (Withdrawn 2008) — 24 стр.

BS IEC 60747-14-1:2010

Действует

Semiconductor devices. Semiconductor sensors. Generic specification for sensors — 24 стр.

IEC 62047-4:2008 ed1.0

Действует

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 4: Generic specification for MEMS — 38 стр.

BS EN 62047-26:2016

Действует

Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices. Description and measurement methods for micro trench and needle structures — 32 стр.

BS EN 62047-4:2010

Действует

Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices. Generic specification for MEMS — 22 стр.

На этот документ ссылаются

BS EN 62047-15:2015

Действует

Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices. Test method of bonding strength between PDMS and glass — 16 стр.

ÖVE/ÖNORM EN 62047-15:2016-03

Действует

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices -- Part 15: Test method of bonding strength between PDMS and glass (IEC 62047-15:2015) (english version)